《Ieee Electron Device Letters》雜志影響因子：4.1。
期刊Ieee Electron Device Letters近年評價數據趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
以下是一些常見的影響因子查詢入口：
（1）Web of Science：是查詢SCI期刊影響因子的權威平臺，收錄全球高質量學術期刊，提供詳細的期刊引證報告，包括影響因子、分區、被引頻次等關鍵指標。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個網站，提供了期刊影響因子、引用數據和相關指標。用戶可以在該網站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區表：提供中科院分區的期刊數據查詢，包括影響因子和分區信息。
《Ieee Electron Device Letters》雜志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術-工程：電子與電氣為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國際優秀期刊。
該雜志出版語言為English，創刊于1980年。自創刊以來，已被SCIE（科學引文索引擴展板）等國內外知名檢索系統收錄。該雜志發表了高質量的論文，重點介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實踐中的理論、研究和應用。
?學術地位：在JCR分區中位列Q2區，中科院分區為工程技術大類2區，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣小類2區。
期刊發文分析
機構發文量統計
| 機構 | 發文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLO... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOL... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
國家 / 地區發文量統計
| 國家 / 地區 | 發文量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
期刊引用數據次數統計
| 期刊引用數據 | 引用次數 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
期刊被引用數據次數統計
| 期刊被引用數據 | 引用次數 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
文章引用數據次數統計
| 文章引用數據 | 引用次數 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistor... | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a Threshold ... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 ... | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric Field Cont... | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFE... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transi... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Wit... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes... | 23 |
| First Demonstration of a Logic-Process Com... | 22 |
