Ieee Electron Device Letters雜志在分區信息中是幾區？

《Ieee Electron Device Letters》雜志在中科院分區中是2區，在JCR分區中是Q2區。

這表明《Ieee Electron Device Letters》雜志在工程技術領域具有較高的學術水平和影響力，其發表的論文質量和數量均得到了學術界的廣泛認可。

這進一步證明了《Ieee Electron Device Letters》雜志在工程：電子與電氣領域的卓越學術地位和影響力。

根據最新的數據，該雜志的CiteScore指數統計為8.2，SJR：1.25，SNIP：1.5，（學科類別：大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering，分區：Q1，學科類別：大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials，分區：Q1）這表明該雜志在工程：電子與電氣領域具有較高的學術影響力和引用率。

《Ieee Electron Device Letters》雜志創刊于1980年，由UNITED STATES的Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版。作為一本享有盛譽的學術期刊，它致力于及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣工作者在該領域的科學研究、技術革新和學術動態。

該雜志的國際標準簡稱是IEEE ELECTR DEVICE L，其ISSN號為0741-3106（印刷版）和E-ISSN號為1558-0563（電子版），該雜志歡迎涉及工程技術領域的原創理論、方法、技術和重要應用的稿件，并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目：綜述、論著、述評、論著摘要等。