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《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在中科院分區(qū)中是3區(qū)，在JCR分區(qū)中是Q2區(qū)。

中科院SCI期刊分區(qū)

中科院SCI期刊分區(qū)是由中國科學院國家科學圖書館制定的。將所有的期刊按照學科進行分類，以影響因子為標準平均分為四個等級。分區(qū)越靠前一般代表期刊質量越好，發(fā)文難度也越高。

2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科	小類學科
否	否	工程技術 3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 3區(qū) 3區(qū)

這表明《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在工程技術領域具有較高的學術水平和影響力，其發(fā)表的論文質量和數量均得到了學術界的廣泛認可。

期刊WOS(JCR)分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	165 / 352	53.3%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	87 / 179	51.7%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	186 / 354	47.6%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	99 / 179	44.97%

WOS(JCR)分區(qū)是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評價指標，分區(qū)越靠前一般代表期刊質量越好，發(fā)文難度也越高。這種分級體系有助于科研人員快速了解各個期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個學科領域進行分類，然后以影響因子為標準平均分為四個等級：Q1、Q2、Q3和Q4區(qū)。這種設計使得科研人員可以更容易地進行跨學科比較。

這進一步證明了《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在工程：電子與電氣領域的卓越學術地位和影響力。

根據最新的數據，該雜志的CiteScore指數統(tǒng)計為4.8，SJR：0.436，SNIP：1.148，（學科類別：大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality，分區(qū)：Q2，學科類別：大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering，分區(qū)：Q2，學科類別：大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials，分區(qū)：Q2）這表明該雜志在工程：電子與電氣領域具有較高的學術影響力和引用率。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志創(chuàng)刊于2001年，由UNITED STATES的Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版。作為一本享有盛譽的學術期刊，它致力于及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣工作者在該領域的科學研究、技術革新和學術動態(tài)。

該雜志的國際標準簡稱是IEEE T DEVICE MAT RE，其ISSN號為1530-4388（印刷版）和E-ISSN號為1558-2574（電子版），該雜志歡迎涉及工程技術領域的原創(chuàng)理論、方法、技術和重要應用的稿件，并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目：綜述、論著、述評、論著摘要等。

以下是我們?yōu)槟阉鞯耐I域相關期刊以便您了解更多期刊信息：