《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志屬于工程技術領域的物理：應用學科。
以下是對其的詳細介紹：
基本信息
創刊時間：1954年
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
ISSN：0018-9383；E-ISSN：1557-9646
學科領域與影響力
主要學科：《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志專注于工程技術-PHYSICS, APPLIED領域，提供物理：應用的關鍵概念進行最新的概括介紹。
影響因子：該雜志的最新影響因子為2.9，顯示其學術水平和影響力，雖然具體數值會隨時間變化。
期刊Ieee Transactions On Electron Devices近年評價數據趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
學科分區：中科院SCI期刊分區，《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志在大類學科工程技術位于2區，小類學科PHYSICS, APPLIED物理：應用位于2區。期刊WOS(JCR)分區中，它位于的PHYSICS, APPLIED的Q2區，顯示出其在該領域的領先地位。
期刊WOS(JCR)分區（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2% |
WOS(JCR)分區是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評價指標，分區越靠前一般代表期刊質量越好，發文難度也越高。這種分級體系有助于科研人員快速了解各個期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個學科領域進行分類，然后以影響因子為標準平均分為四個等級：Q1、Q2、Q3和Q4區。這種設計使得科研人員可以更容易地進行跨學科比較。
為了保證期刊的質量，審稿周期預計為 約4.7個月 。在此期間，編輯部將對所有投稿進行嚴格的同行評審，以確保發表的文章具有較高的學術價值和實用性。
值得一提的是，Ieee Transactions On Electron Devices近期并未被列入國際期刊預警名單，這意味著其學術質量和影響力得到了廣泛認可。該期刊為工程技術領域的學者提供了一個優質的學術交流平臺。因此，關注并投稿至Ieee Transactions On Electron Devices無疑是一個明智的選擇，這將有助于提升您的學術聲譽和研究成果的傳播。
