《Journal of Semiconductors》雜志的收稿方向主要包括：研究快報、研究論文、研究簡報、技術(shù)進(jìn)展等。
該雜志收稿方向廣泛，涵蓋了電力的多個重要領(lǐng)域和前沿話題，為電力工作者和研究者提供了一個交流和分享學(xué)術(shù)成果的重要平臺。
《Journal of Semiconductors》雜志投稿要求
（1）摘要不應(yīng)簡單地重復(fù)題名中已出現(xiàn)過的信息，不需要背景或知識性的介紹，不要把引言和結(jié)論中敘述性的內(nèi)容，以及學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)常識性的內(nèi)容寫入摘要，也不要有自我評價的語句。
（2）正文標(biāo)題與層次：文內(nèi)標(biāo)題力求簡潔、明確，層次一般不超過4級。論文各層次標(biāo)題一律用阿拉伯?dāng)?shù)字連續(xù)編號，如“1”，“1.1”，“1.1.1”等。
（3）正文標(biāo)題層次一級標(biāo)題1，2，…，二級標(biāo)題用1．1，1．2，…，三級標(biāo)題用1．1．1，1．1．2，…，以此類推。標(biāo)題層次一般不超過4級。
（4）來稿應(yīng)注重學(xué)術(shù)性和理論性，并且要選題新穎、內(nèi)容充實(shí)、論證嚴(yán)謹(jǐn)、條理清晰、文字簡練。
（5）請在投稿時提供完整個人信息（姓名、職稱、職務(wù)、工作單位、地址、郵編、電話、電子郵箱等）。
（6）來稿中的數(shù)學(xué)公式、曲線圖、數(shù)據(jù)表格，務(wù)必字跡清楚、規(guī)范、圖形清晰。數(shù)學(xué)公式、有關(guān)數(shù)據(jù)請核對準(zhǔn)確。圖表需有引文。
（7）注釋：將注釋按正文中出現(xiàn)的先后順序排列編號，用數(shù)字加圓圈標(biāo)注，并集中排列在正文后。
（8）評審與出版流程：了解學(xué)術(shù)期刊的評審流程、時間要求以及出版時間表是非常重要的。這會幫助您安排好稿件的提交時間，并了解可能的出版時間。
（9）參考文獻(xiàn)的編號按正文中首次出現(xiàn)的次序連續(xù)排列，用阿拉伯?dāng)?shù)字加方括號標(biāo)于上角，并按引用順序排列于文末。
（10）獲基金資助的論文，應(yīng)注明基金項(xiàng)目名稱及基金項(xiàng)目編號，且按有關(guān)部門規(guī)定的正式名稱填寫; 如獲多項(xiàng)基金資助，應(yīng)依次列出。
《Journal of Semiconductors》雜志是由中國科學(xué)院主管和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國電子學(xué)會主辦的學(xué)術(shù)理論期刊，創(chuàng)刊于1980年，國內(nèi)外公開發(fā)行，國際刊號ISSN為1674-4926，國內(nèi)刊號CN為11-5781/TN，該雜志級別為CSCD期刊、統(tǒng)計源期刊，預(yù)計審稿周期為1-3個月。
該雜志在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力，多次獲得國內(nèi)外權(quán)威獎項(xiàng)，如全國優(yōu)秀科技期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊等。
在收錄方面，《Journal of Semiconductors》雜志被多個知名數(shù)據(jù)庫收錄，包括：CSCD 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊(含擴(kuò)展版)、統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、EI 工程索引(美)、CA 化學(xué)文摘(美)、SA 科學(xué)文摘(英)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、Pж(AJ) 文摘雜志(俄)、劍橋科學(xué)文摘、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏、文摘與引文數(shù)據(jù)庫、文摘雜志等，在電力領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)價值和影響力，是電力研究者和實(shí)踐者的重要參考刊物。
