《固體電子學研究與進展》雜志投稿要求，如下：
（1）文獻引證方式采用注釋體例。注釋用尾注，置于文末。
（2）作者簡介在稿件首頁地腳。順序列出：姓名(出生年-)，性別(民族)，籍貫，工作單位及職務，職稱，學位，學術簡歷及研究方向。
（3）中文摘要為150-300字。摘要的內容應包括目的、方法、實驗結果和結論；綜述性、評論性文章可寫指示性摘要。摘要中不應出現“本文、我們、作者”之類的詞語。
（4）自投稿之日起３個月內未接到用稿通知，請自行處理文稿。切忌一稿多投。來稿一般不退，敬請諒解。
（5）來稿若為課題研究成果，則凡被省級以上單位正式立項的課題，應在文中標明課題的立項單位、級別、時間和編號等信息。
固體電子學研究與進展雜志發文分析
固體電子學研究與進展主要機構發文分析
| 機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
| 南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管；電路；放大器；單片；GAAS |
| 東南大學 | 317 | 電路；半導體；放大器；晶體管；集成電路 |
| 復旦大學 | 231 | 電路；功耗；集成電路；低功耗；半導體 |
| 中國科學院 | 148 | 晶體管；半導體；分子束；分子束外延；異質結 |
| 西安電子科技大學 | 116 | 半導體；電路；金屬氧化物半導體；晶體管；碳化硅 |
| 浙江大學 | 77 | 電路；半導體；芯片；金屬氧化物半導體；低功耗 |
| 清華大學 | 70 | 電路；集成電路；計算機；半導體；GAAS |
| 天津大學 | 69 | 隧穿；電路；晶體管；共振隧穿；負阻 |
| 南京大學 | 68 | 發光；半導體；納米；氮化鎵；GAN |
| 中國科學院微電子研究所 | 68 | 電路；低噪；低噪聲；晶體管；CMOS |
《固體電子學研究與進展》雜志是由南京電子器件研究所主辦的雙月刊，審稿周期預計為1-3個月。該雜志的欄目設置豐富多樣，涵蓋三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。
該雜志為學者們提供了一個交流學術成果和經驗的平臺，發表的文章具有較高的學術水平和實踐價值，為讀者提供更多的實踐案例和行業信息，得到了廣大讀者的廣泛關注和引用。
